Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSS20101JT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSS20101JT1G-DG
Descrizione:
TRANS NPN 20V 1A SC89-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 1 A 350MHz 300 mW Surface Mount SC-89-3
Inventario:
19804 Pz Nuovo Originale Disponibile
12842466
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NSS20101JT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
20 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
220mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Potenza - Max
300 mW
Frequenza - Transizione
350MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-89, SOT-490
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-89-3
Numero di prodotto di base
NSS20101
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-NSS20101JT1GTR
2156-NSS20101JT1G-OS
NSS20101JT1GOSDKR
ONSONSNSS20101JT1G
NSS20101JT1G-DG
NSS20101JT1GOSTR
NSS20101JT1GOSCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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