NSBC114YPDXV6T5
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NSBC114YPDXV6T5

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NSBC114YPDXV6T5-DG

Descrizione:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 256mW Surface Mount SOT-563

Inventario:

176000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12938588
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NSBC114YPDXV6T5 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
256mW
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
NSBC143ZPDXV6T5

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,438
Altri nomi
ONSONSNSBC114YPDXV6T5
2156-NSBC114YPDXV6T5

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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