Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSBC114YPDXV6T1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSBC114YPDXV6T1-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
12856289
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NSBC114YPDXV6T1 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
500mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Numero di prodotto di base
NSBC114
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
NSBC114YPDXV6T1OS-DG
2156-NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1OS
NSBC114YPDXV6OSTR
ONSONSNSBC114YPDXV6T1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RN4982FE,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3035
NUMERO DI PEZZO
RN4982FE,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RN4987FE,LF(CT
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3442
NUMERO DI PEZZO
RN4987FE,LF(CT-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NSBC114YPDXV6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
12961
NUMERO DI PEZZO
NSBC114YPDXV6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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