Numero di Prodotto del Fabbricante:
NSBA114EDXV6T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NSBA114EDXV6T1G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
4000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12840670
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NSBA114EDXV6T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
500mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Numero di prodotto di base
NSBA114
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
NSBA114EDXV6T1G-DG
2156-NSBA114EDXV6T1G-OS
=NSBA114EDXV6T1GOSCT-DG
NSBA114EDXV6T1GOSCT
ONSONSNSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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