Numero di Prodotto del Fabbricante:
NJVMJD112T4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NJVMJD112T4G-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Inventario:
2500 Pz Nuovo Originale Disponibile
12843125
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NJVMJD112T4G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (max)
20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max
20 W
Frequenza - Transizione
25MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Numero di prodotto di base
NJVMJD112
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
488-NJVMJD112T4GCT
488-NJVMJD112T4GTR
NJVMJD112T4G-DG
2832-NJVMJD112T4GTR
488-NJVMJD112T4GDKR
2156-NJVMJD112T4G-OS
ONSONSNJVMJD112T4G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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