Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NE5517DR2G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NE5517DR2G-DG
Descrizione:
IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Descrizione Dettagliata:
Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC
Inventario:
6073 Pz Nuovo Originale Disponibile
12857105
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
NE5517DR2G Specifiche Tecniche
Categoria
Amplificatori, Strumentazione, Amplificatori operazionali, Amplificatori buffer
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di amplificatore
Transconductance
Numero di circuiti
2
Tipo di output
Push-Pull
Velocità di variazione
50V/µs
Prodotto Gain Bandwidth
2 MHz
Corrente - Distorsione di ingresso
400 nA
Tensione - Offset di ingresso
400 µV
Corrente - Alimentazione
2.6mA
Corrente - Uscita / Canale
500 µA
Tensione - Intervallo di alimentazione (min)
4 V
Tensione - Intervallo di alimentazione (max)
44 V
Temperatura
0°C ~ 70°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
16-SOIC
Numero di prodotto di base
NE5517
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NE5517(A), AU5517
Scheda Dati HTML
NE5517DR2G-DG
Schede dati
NE5517DR2G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NE5517DR2GOSCT
2156-NE5517DR2G-OS
NE5517DR2GOSTR
NE5517DR2G-DG
=NE5517DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5517DR2G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SA5534AN
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
NCS20092DMR2G
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP
NCV33074ADR2G
IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
ISL28114FEZ-T7
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5