Numero di Prodotto del Fabbricante:
NDS8858H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NDS8858H-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 6.3A, 4.8A 1W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12856601
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NDS8858H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.3A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
720pF @ 15V
Potenza - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
NDS885
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
NDS8858HCT-NDR
NDS8858HDKR
NDS8858HTR
NDS8858HCT
NDS8858HTR-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDS8858CZ
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
18185
NUMERO DI PEZZO
FDS8858CZ-DG
PREZZO UNITARIO
0.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
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