Numero di Prodotto del Fabbricante:
NDS356AP-NB8L005A
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NDS356AP-NB8L005A-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
12857982
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NDS356AP-NB8L005A Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
280 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
NDS356
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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