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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
NDDP010N25AZ-1H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NDDP010N25AZ-1H-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Inventario:
RFQ Online
12856493
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NDDP010N25AZ-1H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
980 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK/TP
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NDDP0
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
NDDP010N25AZ
Scheda Dati HTML
NDDP010N25AZ-1H-DG
Schede dati
NDDP010N25AZ-1H
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
NDDP010N25AZ-1HOS
ONSONSNDDP010N25AZ-1H
2156-NDDP010N25AZ-1H
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDD2670
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2496
NUMERO DI PEZZO
FDD2670-DG
PREZZO UNITARIO
0.68
TIPO DI SOSTITUZIONE
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