Numero di Prodotto del Fabbricante:
NDD60N900U1-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NDD60N900U1-1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 5.7A (Tc) 74W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12858045
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NDD60N900U1-1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
360 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
NDD60
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
ONSONSNDD60N900U1-1G
2156-NDD60N900U1-1G-ON
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPS80R1K2P7AKMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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