Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
MUN5312DW1T2G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MUN5312DW1T2G-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventario:
8990 Pz Nuovo Originale Disponibile
12847557
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
MUN5312DW1T2G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
22kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
385mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-88/SC70-6/SOT-363
Numero di prodotto di base
MUN5312
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
MUN5312DW1, NSBC124EPDxx
Scheda Dati HTML
MUN5312DW1T2G-DG
Schede dati
MUN5312DW1T2G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GTR
488-MUN5312DW1T2GDKR
MUN5312DW1T2G-DG
488-MUN5312DW1T2GCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NSM46211DW6T1G
TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
BCR185SH6327XTSA1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
NSM21156DW6T1G
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
NSBC123EDXV6T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563