Numero di Prodotto del Fabbricante:
MUN2111T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MUN2111T1G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Inventario:
11729 Pz Nuovo Originale Disponibile
12844739
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MUN2111T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
10 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
35 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
230 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-59
Numero di prodotto di base
MUN2111
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MUN2111T1GOSCT
MUN2111T1GOS-DG
MUN2111T1GOS
ONSONSMUN2111T1G
2832-MUN2111T1G
MUN2111T1GOSDKR
2156-MUN2111T1G-OS
MUN2111T1GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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