Numero di Prodotto del Fabbricante:
MTW32N20EG
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MTW32N20EG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 32A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
12844003
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MTW32N20EG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
MTW32
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
MTW32N20EGOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP250PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IRFP250PBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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