Numero di Prodotto del Fabbricante:
MTD6P10E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MTD6P10E-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12853215
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MTD6P10E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
840 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.75W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
MTD6P
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
MTD6P10EOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SPD04P10PLGBTMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SPD04P10PLGBTMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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