Numero di Prodotto del Fabbricante:
MPS6601G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MPS6601G-DG
Descrizione:
TRANS NPN 25V 1A TO92
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1 A 100MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
12849361
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MPS6601G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
25 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
600mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 500mA, 1V
Potenza - Max
625 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92 (TO-226)
Numero di prodotto di base
MPS660
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
MPS6601GOS
2156-MPS6601G-ON
ONSONSMPS6601G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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