MMBTH10LT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MMBTH10LT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MMBTH10LT1G-DG

Descrizione:

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

RFQ Online
12851553
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MMBTH10LT1G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor RF Bipolari
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
25V
Frequenza - Transizione
650MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)
-
Guadagnare
-
Potenza - Max
225mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 4mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Numero di prodotto di base
MMBTH10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
NSV,S,MMBTH10L(4L)

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2832-MMBTH10LT1G
2156-MMBTH10LT1G-OS
MMBTH10LT1GOSCT
MMBTH10LT1GOS
MMBTH10LT1GOS-DG
ONSONSMMBTH10LT1G
MMBTH10LT1GOSTR
MMBTH10LT1GOSDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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