MMBT6427LT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MMBT6427LT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MMBT6427LT1G-DG

Descrizione:

TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 500 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

117156 Pz Nuovo Originale Disponibile
12853635
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MMBT6427LT1G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
40 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 500µA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20000 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
225 mW
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Numero di prodotto di base
MMBT6427

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
ONSONSMMBT6427LT1G
MMBT6427LT1GOSDKR
MMBT6427LT1GOS
MMBT6427LT1GOSTR
2156-MMBT6427LT1G-OS
MMBT6427LT1GOS-DG
MMBT6427LT1GOSCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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