MJE521G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJE521G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJE521G-DG

Descrizione:

TRANS NPN 40V 4A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 4 A 40 W Through Hole TO-126

Inventario:

12847943
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MJE521G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
40 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
-
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
40 @ 1A, 1V
Potenza - Max
40 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
MJE521

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500
Altri nomi
2156-MJE521G-ON
MJE521GOS
ONSONSMJE521G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
2N5190G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1168
NUMERO DI PEZZO
2N5190G-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
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