MJE200G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJE200G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJE200G-DG

Descrizione:

TRANS NPN 40V 5A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126

Inventario:

7148 Pz Nuovo Originale Disponibile
12849162
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MJE200G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
5 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
40 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.8V @ 1A, 5A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
45 @ 2A, 1V
Potenza - Max
15 W
Frequenza - Transizione
65MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
MJE200

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500
Altri nomi
2156-MJE200G-OS
MJE200GOS
ONSONSMJE200G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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