MJE170G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJE170G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJE170G-DG

Descrizione:

TRANS PNP 40V 3A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126

Inventario:

2379 Pz Nuovo Originale Disponibile
12854106
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MJE170G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
3 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
40 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 100mA, 1V
Potenza - Max
1.5 W
Frequenza - Transizione
50MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
MJE170

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
500
Altri nomi
ONSONSMJE170G
2156-MJE170G-OS
MJE170GOS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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