Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJD6039T4G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJD6039T4G-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventario:
2250 Pz Nuovo Originale Disponibile
12840396
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MJD6039T4G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2.5V @ 8mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
500 @ 2A, 4V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Numero di prodotto di base
MJD6039
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
MJD6039T4GOSTR
2156-MJD6039T4G-OS
MJD6039T4GOSCT
MJD6039T4G-DG
ONSONSMJD6039T4G
=MJD6039T4GOSCT-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SD1223(TE16L1,NQ)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
1345
NUMERO DI PEZZO
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
PREZZO UNITARIO
0.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
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