MJD5731T4G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJD5731T4G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJD5731T4G-DG

Descrizione:

TRANS PNP 350V 1A DPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 1.56 W Surface Mount DPAK

Inventario:

12842763
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MJD5731T4G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 200mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 300mA, 10V
Potenza - Max
1.56 W
Frequenza - Transizione
10MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Numero di prodotto di base
MJD5731

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
2832-MJD5731T4G
MJD5731T4GOSCT
MJD5731T4GOSTR
MJD5731T4GOSDKR
MJD5731T4G-DG

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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