Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJD253-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJD253-1G-DG
Descrizione:
TRANS PNP 100V 4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK
Inventario:
454 Pz Nuovo Originale Disponibile
12854340
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MJD253-1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
600mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
40 @ 200mA, 1V
Potenza - Max
1.4 W
Frequenza - Transizione
40MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Numero di prodotto di base
MJD253
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
MJD253-1GOS
MJD2531G
ONSONSMJD253-1G
2832-MJD253-1G
MJD253-1G-DG
2156-MJD253-1G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJD253T4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2587
NUMERO DI PEZZO
MJD253T4G-DG
PREZZO UNITARIO
0.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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