Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJD122-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJD122-1G-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventario:
12842531
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MJD122-1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
8 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (max)
10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
4MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
DPAK
Numero di prodotto di base
MJD122
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJD122G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1748
NUMERO DI PEZZO
MJD122G-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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