Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJD117-1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJD117-1G-DG
Descrizione:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventario:
12854426
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
MJD117-1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (max)
20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
25MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Numero di prodotto di base
MJD117
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
2156-MJD117-1G-OS
ONSONSMJD117-1G
MJD117-1G-DG
MJD117-1GOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJD117T4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
2150
NUMERO DI PEZZO
MJD117T4G-DG
PREZZO UNITARIO
0.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
MMBTA64LT1G
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
KSC1623OMTF
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
MPSW45AG
TRANS NPN DARL 50V 1A TO92
