MJ11032G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

MJ11032G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

MJ11032G-DG

Descrizione:

TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Inventario:

RFQ Online
12851218
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MJ11032G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
50 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
120 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Corrente - Taglio collettore (max)
2mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 25A, 5V
Potenza - Max
300 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-204AE
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204 (TO-3)
Numero di prodotto di base
MJ11032

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
MJ11028,29,30,32,33
Scheda Dati HTML
MJ11032G-DG
Schede dati
MJ11032G

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
100
Altri nomi
MJ11032GOS
2156-MJ11032G-OS
ONSONSMJ11032G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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