Numero di Prodotto del Fabbricante:
MJ11012G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MJ11012G-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Inventario:
32 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850432
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MJ11012G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tray
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
30 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
4V @ 300mA, 30A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 20A, 5V
Potenza - Max
200 W
Frequenza - Transizione
4MHz
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204 (TO-3)
Numero di prodotto di base
MJ11012
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
MJ11012G-DG
ONSONSMJ11012G
2156-MJ11012G-OS
MJ11012GOS
2832-MJ11012G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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