Numero di Prodotto del Fabbricante:
MGSF2N02ELT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MGSF2N02ELT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
38920 Pz Nuovo Originale Disponibile
12846081
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MGSF2N02ELT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150 pF @ 5 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
MGSF2
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MGSF2N02ELT1GOS-DG
2156-MGSF2N02ELT1G-OS
ONSONSMGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02ELT1GOSCT
MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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