Numero di Prodotto del Fabbricante:
MGSF1P02LT1
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MGSF1P02LT1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 750mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
12854952
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MGSF1P02LT1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
130 pF @ 5 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
MGSF1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MGSF1P02LT1OSCT
MGSF1P02LT1OSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRLML6302TRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
239189
NUMERO DI PEZZO
IRLML6302TRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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