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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
MBT35200MT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
MBT35200MT1G-DG
Descrizione:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
2906 Pz Nuovo Originale Disponibile
12856073
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MBT35200MT1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
35 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
310mV @ 20mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1.5A, 1.5V
Potenza - Max
625 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Numero di prodotto di base
MBT35200
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
MBT35200MT1
Scheda Dati HTML
MBT35200MT1G-DG
Schede dati
MBT35200MT1G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
MBT35200MT1GOSDKR
ONSONSMBT35200MT1G
=MBT35200MT1GOSCT-DG
MBT35200MT1GOS-DG
2156-MBT35200MT1G-OS
MBT35200MT1GOS
MBT35200MT1GOSCT
MBT35200MT1GOSTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SNSS35200MR6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
SNSS35200MR6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.18
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
NSS35200MR6T1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
3547
NUMERO DI PEZZO
NSS35200MR6T1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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