KSB1116AGBU
Numero di Prodotto del Fabbricante:

KSB1116AGBU

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

KSB1116AGBU-DG

Descrizione:

TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 120MHz 750 mW Through Hole TO-92-3

Inventario:

RFQ Online
12855475
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KSB1116AGBU Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Potenza - Max
750 mW
Frequenza - Transizione
120MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Numero di prodotto di base
KSB11

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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