Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRLW630ATM
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
IRLW630ATM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12835849
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IRLW630ATM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
755 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
IRLW63
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF624SPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1814
NUMERO DI PEZZO
IRF624SPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RCJ120N20TL
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
33
NUMERO DI PEZZO
RCJ120N20TL-DG
PREZZO UNITARIO
0.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFU220PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
2912
NUMERO DI PEZZO
IRFU220PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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