Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUFA76629D3S
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUFA76629D3S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
RFQ Online
12847786
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
HUFA76629D3S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
HUFA76
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
HUFA76629D3S-DG
Schede dati
HUFA76629D3S
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD25NF10LT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
4741
NUMERO DI PEZZO
STD25NF10LT4-DG
PREZZO UNITARIO
0.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD25NF10LA
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3962
NUMERO DI PEZZO
STD25NF10LA-DG
PREZZO UNITARIO
0.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STD25NF10T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1915
NUMERO DI PEZZO
STD25NF10T4-DG
PREZZO UNITARIO
0.68
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
NTD6415ANLT4G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
5123
NUMERO DI PEZZO
NTD6415ANLT4G-DG
PREZZO UNITARIO
0.77
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SUD20N10-66L-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
6204
NUMERO DI PEZZO
SUD20N10-66L-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQP6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
FDPF15N65
MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
IRL640A
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
FDD8882
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA