Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF76629D3ST-F085
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF76629D3ST-F085-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12836944
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HUF76629D3ST-F085 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1280 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
HUF76
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
HUF76629D3ST_F085-DG
HUF76629D3ST_F085CT
HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085DKR
HUF76629D3ST_F085DKR-DG
HUF76629D3ST-F085CT
HUF76629D3ST_F085TR-DG
HUF76629D3ST-F085DKR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085CT-DG
HUF76629D3ST_F085TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD15NF10T4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2040
NUMERO DI PEZZO
STD15NF10T4-DG
PREZZO UNITARIO
0.48
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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