Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF76619D3ST
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF76619D3ST-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12847898
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HUF76619D3ST Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
767 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
HUF76
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPD78CN10NGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
14157
NUMERO DI PEZZO
IPD78CN10NGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DMN10H100SK3-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
4328
NUMERO DI PEZZO
DMN10H100SK3-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
BUK7275-100A,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
68370
NUMERO DI PEZZO
BUK7275-100A,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FDD3690
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FDD3690-DG
PREZZO UNITARIO
0.79
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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