HUF76609D3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

HUF76609D3

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

HUF76609D3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12930580
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HUF76609D3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
425 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
49W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
HUF76

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
75

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IRLU120NPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
9600
NUMERO DI PEZZO
IRLU120NPBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
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