Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF76407D3ST
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF76407D3ST-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
3893 Pz Nuovo Originale Disponibile
13209926
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HUF76407D3ST Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
HUF76
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
488-HUF76407D3STDKR
488-HUF76407D3STCT
488-HUF76407D3STTR
2832-HUF76407D3ST-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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