HUF76407D3ST
Numero di Prodotto del Fabbricante:

HUF76407D3ST

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

HUF76407D3ST-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

3893 Pz Nuovo Originale Disponibile
13209926
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

HUF76407D3ST Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFET
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
HUF76

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
488-HUF76407D3STDKR
488-HUF76407D3STCT
488-HUF76407D3STTR
2832-HUF76407D3ST-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

NTMFS4923NET1G

MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL

onsemi

NVTFS5811NLTAG

MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

onsemi

FCP165N60E

MOSFET N-CH 600V 23A TO220

onsemi

NVB5404NT4G

MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK