Numero di Prodotto del Fabbricante:
HUF75639P3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
HUF75639P3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
453 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836094
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
HUF75639P3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
UltraFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
HUF75639
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-HUF75639P3-OS
ONSHUF75639P3
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQB4P25TM
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
AUIRFS3006-7P
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
FQD7P06TM
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
