Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU5N50CTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU5N50CTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12851636
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQU5N50CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
625 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU5
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,040
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFU320PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
2351
NUMERO DI PEZZO
IRFU320PBF-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPD90N06S4L05ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPP037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
R6504ENJTL
MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
