Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU3P50TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU3P50TU-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12849036
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FQU3P50TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU3
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,040
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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