Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU2N50BTU-WS
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU2N50BTU-WS-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12839676
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FQU2N50BTU-WS Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU2N50
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,040
Altri nomi
2832-FQU2N50BTU-WS-488
FQU2N50BTU_WS
FQU2N50BTU_WS-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD3NK50Z-1
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
4279
NUMERO DI PEZZO
STD3NK50Z-1-DG
PREZZO UNITARIO
0.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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