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Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU1N60CTU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU1N60CTU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
RFQ Online
12850201
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FQU1N60CTU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU1N60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
FQU1N60CTU Datasheet
Scheda Dati HTML
FQU1N60CTU-DG
Schede dati
FQU1N60CTU
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
70
Altri nomi
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD1NK60-1
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
5751
NUMERO DI PEZZO
STD1NK60-1-DG
PREZZO UNITARIO
0.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STU2N62K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
3000
NUMERO DI PEZZO
STU2N62K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.52
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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