Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQU12N20TU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQU12N20TU-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
12849656
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FQU12N20TU Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
910 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
IPAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
FQU12N20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,040
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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