Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQT4N20LTF
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQT4N20LTF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
50 Pz Nuovo Originale Disponibile
12840019
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FQT4N20LTF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223-4
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
FQT4N20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSP297H6327XTSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
7629
NUMERO DI PEZZO
BSP297H6327XTSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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