FQPF5P10
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQPF5P10

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQPF5P10-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 2.9A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

12839475
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

FQPF5P10 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1.45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
23W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF5

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDC637BNZ

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

onsemi

FQB34P10TM-F085P

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FCH072N60F

MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

onsemi

IRFN214BTA_FP001

MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3