Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQPF19N20C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQPF19N20C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
783 Pz Nuovo Originale Disponibile
12838675
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQPF19N20C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF19
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FQPF19N20C-OS
ONSONSFQPF19N20C
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQD5P10TF
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
HUF76629D3S
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA