Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQPF13N10
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQPF13N10-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
12850383
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FQPF13N10 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 4.35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
FQPF1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
RCX120N25
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
RCX120N25-DG
PREZZO UNITARIO
1.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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