FQPF12P10

Numero di Prodotto del Fabbricante:

FQPF12P10

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FQPF12P10-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventario:

RFQ Online

12838161

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FQPF12P10 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

QFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

8.2A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 4.1A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

800 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Numero di prodotto di base

FQPF1

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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