Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP9N90C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP9N90C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
194 Pz Nuovo Originale Disponibile
12836538
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FQP9N90C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP9
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
