Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQP7N65C
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FQP7N65C-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12837553
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FQP7N65C Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
QFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FQP7
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP9NK65Z
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STP9NK65Z-DG
PREZZO UNITARIO
1.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP5N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
33
NUMERO DI PEZZO
STP5N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP5N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
717
NUMERO DI PEZZO
STP5N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
0.67
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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